内容摘要：在先进工艺上，台积电今年底量产3nm工艺，2025年则是量产2nm工艺，这一代会开始使用GAA晶体管，放弃现在的FinFET晶体管技术。再往后呢？2nm之后是1.4nm工艺，Intel、台积电及三星这

在先进工艺上，摩尔谋划台积电今年底量产3nm工艺，定律电已2025年则是不死量产2nm工艺，这一代会开始使用GAA晶体管，台积放弃现在的工艺V光关键FinFET晶体管技术。

再往后呢？下代2nm之后是1.4nm工艺，Intel、刻机台积电及三星这三大芯片厂商也在冲刺，摩尔谋划其中三星首个宣布2027年量产1.4nm工艺，定律电已台积电没说时间点，不死预计也是台积在2027年左右。

1.4nm之后就是工艺V光关键1nm工艺了，这个节点曾经被认为是下代摩尔定律的物理极限，是刻机无法实现的，但是摩尔谋划现在芯片厂商也已经在攻关中。

台积电已经启动了先导计划，传闻中的1nm晶圆厂将落户新竹科技园下属的桃园龙潭园区，这意味着台积电已经开始为1nm做规划了，毕竟工厂需要提前一两年建设。

不过真正量产1nm还需要很长时间，其中关键的设备就是下一代EUV光刻机，要升级下一代的高NA（数值孔径）标准，从现在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味着更分辨率更高，是3nm之后的工艺必备的条件。

按照ASML的计划，下一代EUV光刻机的试验型号最快明年就开始出货，2025年后达到正式量产能力，售价将达到4亿美元以上。